高雄大學「極紫外光微影製程」 培育半導體人才

引進ASML、NSRRC業界專家協同授課
【記者蔡宗武／高雄報導】
半導體業視為新興熱門技術的「極紫外光微影製程（Extreme UVLithography，EUVL）」，國立高雄大學同步引進，積極培育半導體光電製程人才，日前分別與「ASML台灣艾司摩爾股份有限公司」、「國家同步輻射研究中心（National SynchrotronRadiation Research Center ，NSRRC）」合作，安排業界專家協同授課，以及舉辦「2019International EUVL Workshop in Taiwan」研討會，幫助學生了解EUVL最新發展趨勢，提早準備因應。

協同授課、研討會分別於15、16兩日密集舉行，課程策劃者、高雄大學應用化學系教授兼學務長鄭秀英表示，前者邀請ASML研發人員演講公司最新的半導體微影技術，也讓學生了解，學習化學、物理、電子、機電、軟體、精密技術等領域均有可發揮之處。

來自荷蘭的ASML為晶片微影設備供應商翹楚，市場佔有率超過80%，全球十大半導體廠皆為其客戶，ASML協助設計、研發及整合高階系統，開發相關資訊科技、行動通訊、物聯網相關產品晶片，諸如熱門電子產品iPhone、電視、導航裝置，都有採用 ASML 設備製造的晶片。

另場（16日）「2019 International EUVL Workshop in Taiwan」，則是師生前往座落於新竹科學園區的國家同步輻射研究中心，除了參觀加速器光源設施，也聆聽極紫外光微影製程權威、美國State Uniersity of New York at Albany（紐約州立大學奧爾巴尼分校）教授Gregory Denbeaux，以及「半導體微影製程概論」授課教授發表最新研究成果。

根據資料顯示，半導體產業視「極紫外光微影製程」為「救世主」，主要原因是半導體製程的主流光源是波長193奈米（nm）的「氬氟（Argon-Fluoride）雷射」，處理已微縮到幾十奈米尺度的電晶體相對吃力，波長僅13.5奈米的極紫外光波長相對有優勢，且可使摩爾定律再延伸至少10年。藉由EUV 製程，5G 晶片組可減小體積空間、提升電池續航力，進而設計出更輕薄短小產品。

該兩場活動為高雄大學高教深耕計畫、分項子計畫「培育半導體光電製程產業跨域人才」課程單元之一，鄭秀英表示，歷年完成該學程的學生超過一半學以致用，且其中近45%為世界級半導體設備、晶圓代工、封測、LED元件大廠錄用，包括AMAT、Amkor、ASML、Micron、台積電、聯電、日月光、群創、矽品、億光。